在區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝調(diào)整的許可范圍內(nèi),更高的成本可以直接轉(zhuǎn)化為掃描速度的增加。原則上,ZMR不是高投資的工藝,所以主要的投資成本來(lái)自于單位面積的工藝成本。進(jìn)一步的計(jì)算表明,為了使ZMR成本低于10/m2,工藝的掃描速度必須高于...[繼續(xù)閱讀]

    在20世紀(jì)80年代初就有報(bào)道,用非相干光源作為熱源的區(qū)熔再結(jié)晶ZMR制備Si薄膜,用于微電子領(lǐng)域的絕緣體上硅SOI應(yīng)用[101]。10年之后,ZMR應(yīng)用于異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究,先是日本三菱電機(jī)在1996年的報(bào)道[102],而后是德國(guó)弗勞...[繼續(xù)閱讀]

    我們已經(jīng)詳細(xì)地討論了區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝中溫度梯度、生長(zhǎng)形貌和缺陷密度之間的關(guān)系。根據(jù)這些討論,結(jié)晶面溫度梯度的精確控制對(duì)生長(zhǎng)高質(zhì)量ZMR薄膜非常重要。雖然不容易直接測(cè)量溫度梯度的數(shù)值,但是利用熔化Si的反射率變化...[繼續(xù)閱讀]

    之前章節(jié)的討論表明,即使用單晶硅或多晶硅硅片作為模型襯底,區(qū)熔再結(jié)晶ZMR生長(zhǎng)Si薄膜的質(zhì)量也依賴(lài)于襯底的數(shù)個(gè)參數(shù)。如果用非理想的陶瓷襯底,ZMR更加會(huì)受到陶瓷襯底較差特性參數(shù)的影響。區(qū)別于Si模型襯底,陶瓷襯底的以下幾個(gè)...[繼續(xù)閱讀]

    太陽(yáng)能行業(yè)幾乎所有的研發(fā)力量都集中于降低單位Wp的成本。成本效益也是未來(lái)Si沉積設(shè)備和工藝的最重要要求。通過(guò)簡(jiǎn)單的計(jì)算,沉積Si層的成本上限為30/m2,并且要求沉積工藝實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的Si薄膜,才能制備具有較大商業(yè)價(jià)值的異質(zhì)襯...[繼續(xù)閱讀]

    常壓化學(xué)氣相沉積APCVD的前驅(qū)物是SiHCl3-H2系統(tǒng),對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)速率,即沉積速率,依賴(lài)于沉積溫度、氣相成分和總氣壓,這很容易得到實(shí)驗(yàn)的證實(shí)(demonstration)。為了確定最優(yōu)化的工作點(diǎn)和最優(yōu)化的反應(yīng)腔幾何設(shè)計(jì),對(duì)沉積反應(yīng)建立分析模型不...[繼續(xù)閱讀]

    常壓化學(xué)氣相沉積APCVD的化學(xué)產(chǎn)率,即Si的轉(zhuǎn)換效率,定義為初始?xì)庀郤i轉(zhuǎn)換為固相Si的效率。比較初始?xì)庀郤i/Cl摩爾比例和熱平衡狀態(tài)沉積溫度下最終的Si/Cl比例,可以給出Si沉積反應(yīng)理論上耗用的SiHCl3。用SiHCl3作為前驅(qū)氣體的初始Si/Cl比...[繼續(xù)閱讀]

    微電子領(lǐng)域使用的外延反應(yīng)腔由于成本原因,不適合制備異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池(參見(jiàn)2.4.2節(jié))。異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池Si沉積的設(shè)備研究專(zhuān)注于:●大面積的分批式反應(yīng)腔;●高生產(chǎn)速率的連續(xù)在線式反應(yīng)腔。數(shù)個(gè)研究...[繼續(xù)閱讀]

    異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池需要兩種不同類(lèi)型的Si沉積工藝。第1種沉積制備在襯底/中間層上,得到的多晶硅薄膜晶粒尺寸在μm量級(jí)。之后的區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝要求這樣的Si層滿足:●厚度1～5μm;●厚度均勻度為90%～95%;●很好的結(jié)...[繼續(xù)閱讀]

    在SiO2或其他中間層上用SiHCl3通過(guò)常壓化學(xué)氣相沉積APCVD進(jìn)行多晶硅沉積,是微電子領(lǐng)域的常規(guī)工藝。2.4.3節(jié)描述的反應(yīng)腔和工藝適用于異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池,在鍍有SiO2的Si襯底上沉積多晶硅層,之后經(jīng)過(guò)區(qū)熔再結(jié)晶ZMR形成籽晶...[繼續(xù)閱讀]