通過(guò)絕緣體(dielectricum)SiO2的開口(opening),外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)Si的擇優(yōu)外延生長(zhǎng),如圖1.14(b)所示。通過(guò)熱氧化(thermaloxidation),得到的絕緣體SiO2具有掩蔽層(maskinglayer)的作用?;瘜W(xué)氣相沉積CVD的擇優(yōu)特性來(lái)自于控制Si蝕刻和Cl氣...[繼續(xù)閱讀]
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通過(guò)絕緣體(dielectricum)SiO2的開口(opening),外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)Si的擇優(yōu)外延生長(zhǎng),如圖1.14(b)所示。通過(guò)熱氧化(thermaloxidation),得到的絕緣體SiO2具有掩蔽層(maskinglayer)的作用?;瘜W(xué)氣相沉積CVD的擇優(yōu)特性來(lái)自于控制Si蝕刻和Cl氣...[繼續(xù)閱讀]
外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的優(yōu)勢(shì)是低成本的Si襯底,已經(jīng)有了基于單晶硅和多晶硅襯底的不少實(shí)驗(yàn)室成果。在20世紀(jì)90年代,有數(shù)個(gè)實(shí)驗(yàn)室報(bào)道了高摻雜單晶硅襯底上生長(zhǎng)外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究成果,證明了較高的轉(zhuǎn)換效率...[繼續(xù)閱讀]
所謂的產(chǎn)業(yè)化太陽(yáng)能電池(industrialsolarcell)是指大面積(>20cm2)太陽(yáng)能電池,并且生產(chǎn)工藝類似于光伏產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)有工藝。雖然生產(chǎn)外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的基本工藝流程與生產(chǎn)經(jīng)典晶體硅太陽(yáng)能電池的工藝很相似,但是由于兩個(gè)原因...[繼續(xù)閱讀]
將前柵線(frontgrid)作為接觸電極的外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池可以制備襯底配置或上層配置,而基于硅片的晶體硅太陽(yáng)能電池有新穎的接觸電極形式。如果將這兩個(gè)概念集成在單一器件中,可以同時(shí)減小晶體硅太陽(yáng)能電池的兩個(gè)主要的...[繼續(xù)閱讀]
連續(xù)化學(xué)氣相沉積(ContinuousChemicalVaporDeposition,ConCVD)概念接近于目前多數(shù)晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線使用的在線式工藝,該工藝非常適合大規(guī)模生產(chǎn)。ConCVD概念基于連續(xù)輸運(yùn)晶片工藝,通過(guò)熱反應(yīng)區(qū)域發(fā)生外延沉積。為了提高氣相Si到固相...[繼續(xù)閱讀]
作為最近發(fā)展的大規(guī)模生產(chǎn)工藝,對(duì)流輔助化學(xué)氣相沉積(ConvectionassistedChemicalVaporDeposition,CoCVD)可以有效地使用熱對(duì)流,以控制反應(yīng)腔中的氣體流動(dòng),并且通過(guò)對(duì)流回收未充分使用的氣體前驅(qū)物[90],如圖1.23所示。反應(yīng)腔與水平方向的夾角...[繼續(xù)閱讀]
雖然連續(xù)化學(xué)氣相沉積ConCVD和對(duì)流輔助化學(xué)氣相沉積CoCVD已經(jīng)在大規(guī)模生產(chǎn)的可行性上取得了很大的進(jìn)展,但是這兩種概念的可靠性和安全性仍然有待論證。微電子領(lǐng)域發(fā)展了分批式外延反應(yīng)腔(batchtypeepitaxialreactor),用SiH4作為Si前驅(qū)物...[繼續(xù)閱讀]
溫度差法(temperaturedifferencemethod,TDM)是一種有較好前景的準(zhǔn)連續(xù)技術(shù),可以在10cm×10cm的大面積多晶硅襯底上生長(zhǎng)外延層,是液相外延LPE大規(guī)模生產(chǎn)研究的重要方向[95,96]。TDM先被用于為發(fā)光器件沉積Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體層(semiconductorlayer)[97]。與...[繼續(xù)閱讀]
如果大規(guī)模生產(chǎn)的液相外延LPE采用連續(xù)的在線式工藝,比不上分批式工藝,因?yàn)槿芙獾腟i會(huì)不斷地減少,需要在每一次外延生長(zhǎng)后更換溶液。在分批式液相外延(batchtypeliquidphaseepitaxy)中,將16片襯底同時(shí)浸潤(rùn)在“無(wú)限源”(infinitesource)中,使...[繼續(xù)閱讀]
外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池不同于其他薄膜太陽(yáng)能電池,更加接近于成熟的晶體硅太陽(yáng)能電池,是基于硅片的太陽(yáng)能技術(shù)向單片集成技術(shù)的過(guò)渡。雖然不一定有其他薄膜太陽(yáng)能電池那么成功有效,外延晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池還是具有相...[繼續(xù)閱讀]