在LTPSTFT工藝中,如使用NMOS結構,需要在源漏重摻區(qū)域與溝道之間增加LDD(LightlyDopedDrain,輕摻雜漏區(qū))結構,而PMOS則不需要。究其原因,我們整理了一些內容供大家參考。LDD結構是金氧半場效晶體管(MOSFET)為了減弱漏區(qū)電場,以改進熱電子退 (共 506 字) [閱讀本文] >>
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 在LTPSTFT工藝中,如使用NMOS結構,需要在源漏重摻區(qū)域與溝道之間增加LDD(LightlyDopedDrain,輕摻雜漏區(qū))結構,而PMOS則不需要。究其原因,我們整理了一些內容供大家參考。LDD結構是金氧半場效晶體管(MOSFET)為了減弱漏區(qū)電場,以改進熱電子退 (共 506 字) [閱讀本文] >>