![2.3.1 區(qū)熔再結(jié)晶的發(fā)展](https://imgs.zsbeike.com/imgs/J/J09066/j09066_tm.txt.a1f6ee.jpg)
 如果通過高溫的化學(xué)氣相沉積CVD在異質(zhì)襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級。到目前為止,運用傳統(tǒng)晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結(jié),得到的最高轉(zhuǎn)換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結(jié)晶或液相再結(jié)晶 (共 1961 字) [閱讀本文] >>
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 如果通過高溫的化學(xué)氣相沉積CVD在異質(zhì)襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級。到目前為止,運用傳統(tǒng)晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結(jié),得到的最高轉(zhuǎn)換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結(jié)晶或液相再結(jié)晶 (共 1961 字) [閱讀本文] >>