空穴導電半導體。在半導體中摻入了低價雜質。例如在四價的硅或鍺中摻入了三價的雜質鋁、鎵或銦后便形成p型半導體。其導電機制如下:一個三價的雜質Al原子取代晶格中的Si原子后,為了能和最鄰近的四個Si原子形成共價鍵,必須從 (本文共 351 字 ) [閱讀本文] >>
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 空穴導電半導體。在半導體中摻入了低價雜質。例如在四價的硅或鍺中摻入了三價的雜質鋁、鎵或銦后便形成p型半導體。其導電機制如下:一個三價的雜質Al原子取代晶格中的Si原子后,為了能和最鄰近的四個Si原子形成共價鍵,必須從 (本文共 351 字 ) [閱讀本文] >>