白光是由可見光區(qū)各種波長(zhǎng)的光按一定比例組成。只有當(dāng)對(duì)可見光區(qū)各種波長(zhǎng)光的光程差等于零或等于幾個(gè)波長(zhǎng)時(shí)，才可能觀察到白光的干涉條紋。以楊氏干涉實(shí)驗(yàn)為例,說(shuō)明白光干涉條紋的特點(diǎn)。在這種裝置中,當(dāng)以單色光照明狹縫...[繼續(xù)閱讀]

    日本理論物理學(xué)家。1911年1月18日生于日本東京。1933年畢業(yè)于京都帝國(guó)大學(xué)物理系；1941年以《介子自發(fā)衰變的理論研究》的論文獲理學(xué)博士學(xué)位；1942年任名古屋大學(xué)教授，在該大學(xué)創(chuàng)設(shè)基本粒子研究室，終生從事基本粒子理論研究...[繼續(xù)閱讀]

    見固體中的彈性波。...[繼續(xù)閱讀]

    指導(dǎo)電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料，一般規(guī)定電阻率在10-3歐姆厘米和109歐姆厘米之間。按內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)區(qū)分，半導(dǎo)體與絕緣體相似，它們所包含的價(jià)電子數(shù)恰好能填滿價(jià)帶，并由禁帶和上面的導(dǎo)帶隔開（見固體的能帶）...[繼續(xù)閱讀]

    半導(dǎo)體受光照而引起電導(dǎo)率的改變。最早是1873年W.史密斯在硒上發(fā)現(xiàn)的。20世紀(jì)的前40年內(nèi)，又先后在氧化亞銅、硫化鉈、硫化鎘等材料中發(fā)現(xiàn)，并利用這現(xiàn)象制成幾種可用作光強(qiáng)測(cè)量及自動(dòng)控制的光電管。自40年代開始，由于半導(dǎo)...[繼續(xù)閱讀]

    指應(yīng)力作用下半導(dǎo)體電阻率的變化。在一些半導(dǎo)體中有相當(dāng)大的壓阻效應(yīng)，這與半導(dǎo)體的電子能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)?！　鹤栊?yīng)是各向異性的，要用壓阻張量π(四階張量)來(lái)描述,它與電阻率變量張量δρ(二價(jià)張量)和應(yīng)力張量k(二階張量...[繼續(xù)閱讀]

    見半導(dǎo)體器件。...[繼續(xù)閱讀]

    用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料，通過(guò)選擇的核反應(yīng)在基體中生成原來(lái)不存在的新元素，達(dá)到半導(dǎo)體材料的摻雜目的。目前，只有中子嬗變摻雜(NDT)得到了實(shí)際應(yīng)用。此方法的原理是K.拉克－霍羅維茨于1951年提出的...[繼續(xù)閱讀]

    是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無(wú)源元件，按照一定的電路互連，"集成"在一塊半導(dǎo)體單晶（主要是硅單晶）片上。它完成特定的電路或系統(tǒng)功能。這種集成電路與過(guò)去將各個(gè)電子元件分別封裝，然后裝配在一起...[繼續(xù)閱讀]

    用半導(dǎo)體做成的器件其種類十分繁多，其中最主要的是半導(dǎo)體電子器件和半導(dǎo)體光電器件兩大類?！　“雽?dǎo)體電子器件　最基本的兩種器件是晶體二極管（簡(jiǎn)稱二極管）和晶體三極管（簡(jiǎn)稱晶體管）。　　晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是...[繼續(xù)閱讀]