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半導體核嬗變摻雜
物理學

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半導體核嬗變摻雜

        用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料，通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素，達到半導體材料的摻雜目的。目前，只有中子嬗變摻雜(NDT)得到了實際應用。此方法的原理是K.拉克－霍羅維茨于1951年提出的    （本文共 581 字 ）     [閱讀本文] >>

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