基于有源箝位技術(shù)的SiC MOSFET串聯(lián)均壓有源驅(qū)動(dòng)電路研究

摘要： 功率器件串聯(lián)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用的有效途徑之一，而串聯(lián)應(yīng)用的主要制約因素是串聯(lián)器件之間的動(dòng)態(tài)均壓問題。該文針對(duì)不均壓條件下串聯(lián)器件的關(guān)斷行為進(jìn)行了理論分析，探究不均壓的產(chǎn)生機(jī)理，提出一種基于有源箝位技術(shù)的碳化硅金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管串聯(lián)均壓有源驅(qū)動(dòng)，其利用有源箝位電路檢測串聯(lián)器件之間的電壓不均衡，并箝位電壓尖峰，通過反饋控制器件柵極電荷及開關(guān)瞬態(tài)行為實(shí)現(xiàn)均壓。該方案不存在...