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柵氧老化下SiC MOSFET開通瞬態(tài)柵極振蕩特性研究

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 10 2023-08-07
摘要： 柵氧老化問題已成為制約碳化硅(SiC)金屬半導(dǎo)體氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的關(guān)鍵因素，該文嘗試?yán)肧iC MOSFET高速開關(guān)在變換器中引起的高頻開關(guān)振蕩獲取柵氧狀態(tài)信息，重點(diǎn)研究柵氧老化對(duì)開通瞬態(tài)柵極高頻振蕩特性的影響。首先，分析SiC MOSFET柵氧老化機(jī)理及其對(duì)...

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