單晶4H-SiC的摩擦誘導(dǎo)化學(xué)機(jī)械復(fù)合加工(FCMM)實(shí)驗(yàn)研究

摘要： 單晶碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料性能成為下一代電力電子器件和光電子器件的優(yōu)選襯底材料,但碳化硅的高硬脆性，強(qiáng)化學(xué)惰性對其高效精密加工帶來了巨大挑戰(zhàn)。提出一種基于摩擦誘導(dǎo)化學(xué)作用與低硬度磨粒機(jī)械作用復(fù)合的SiC晶片加工新思路。跟蹤了4H-SiC在不同鐵基燒結(jié)盤以及不同加工工藝參數(shù)下材料去除率隨時(shí)間的變化；檢測了加工后晶片的表面質(zhì)量及亞表面損傷。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明摩擦誘導(dǎo)化學(xué)機(jī)械復(fù)合...