硅外延生長反應(yīng)腔內(nèi)外延反應(yīng)過程的數(shù)值仿真建模及實(shí)驗(yàn)研究

摘要： 硅外延片是大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體器件等的基礎(chǔ)功能材料，是通過外延反應(yīng)在單晶硅片上生長均勻的外延薄層。外延層的厚度和電阻率的均勻性控制是硅外延生長的關(guān)鍵技術(shù)難題，其生長質(zhì)量受反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)與熱流場設(shè)計(jì)影響較大?；趩纹焦柰庋由L反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)，建立了反應(yīng)腔內(nèi)氣體輸運(yùn)與外延反應(yīng)的多物理場仿真模型，分析了腔室結(jié)構(gòu)對(duì)熱場分布均勻性的影響規(guī)律。隨后通過數(shù)值仿真，研究了載氣流量、進(jìn)氣梯度...