低能電子轟擊引起氧化鋁鈍化膜BCMOS傳感器暗電流變化研究

摘要： 針對低能電子（電子能量為300～1500 e V）轟擊引起氧化鋁鈍化層BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)圖像傳感器暗電流增加問題，設計了電子轟擊BCMOS圖像傳感器實驗，經(jīng)統(tǒng)計發(fā)現(xiàn)，對于厚度為10 nm的氧化鋁鈍化層BCMOS圖像傳感器，轟擊能量大于600 eV時暗電流增加速率明顯；...