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氧分壓對(duì)a-Ga2O3基日盲紫外光電探測器性能的影響研究

光電工程 頁數(shù)： 10 2024-06-25
摘要： 非晶氧化鎵(a-Ga2O3)基日盲紫外光電探測器的性能與a-Ga2O3薄膜內(nèi)的氧空位有關(guān)，氧空位的濃度制約著探測器的響應(yīng)度和響應(yīng)速度。為了在探測器的響應(yīng)度和響應(yīng)速度之間達(dá)到平衡，本文通過微調(diào)射頻磁控濺射過程中的氧分壓，調(diào)控薄膜內(nèi)的氧空位濃度，并在此基礎(chǔ)上成功制備金屬-半導(dǎo)體-金屬(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探測器。研究結(jié)果顯示...

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