有源層濺射工藝及后退火溫度對IZO TFT電性能的影響

摘要： 為了提高氧化物薄膜晶體管的器件性能，以摻In氧化鋅(IZO)為有源層，原子層沉積法(ALD)沉積的Al₂O₃薄膜為柵介層，制備了基于IZO的薄膜晶體管(IZO TFT)，研究了IZO薄膜制備工藝中濺射氣體氬氧流量比、濺射壓強和后退火溫度等工藝參數(shù)對TFT器件電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明，在恰當(dāng)?shù)臍逖醣群头磻?yīng)氣壓以及相對較高的退火溫度下制備的IZO TFT具有良好的電學(xué)特性，當(dāng)氬... （共9頁）