面向聚變中子探測(cè)的寬禁帶半導(dǎo)體探測(cè)器關(guān)鍵問(wèn)題與研究挑戰(zhàn)
電子學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 6 2024-08-15
摘要: 近年來(lái)國(guó)際聚變反應(yīng)研究獲得重大進(jìn)展,選擇抗位移能力強(qiáng)的寬禁帶半導(dǎo)體探測(cè)器是推動(dòng)聚變研究的關(guān)鍵技術(shù)之一.金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體具備卓越抗輻照和時(shí)間響應(yīng)等特性,是聚變?cè)\斷特別是高能中子診斷的理想材料,碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體也可測(cè)量中子,且大尺寸外延技術(shù)更成熟,可覆蓋聚變研究裝置上的大規(guī)模應(yīng)用.通過(guò)這兩種寬禁帶半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的研究并實(shí)現(xiàn)自主可控的高性能器件制備,將顯著提高我國(guó)核聚變反應(yīng)測(cè)... (共6頁(yè))