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SiC MOSFET測試系統(tǒng)設(shè)計(jì)與開關(guān)特性分析

電力電子技術(shù) 頁數(shù)： 4 2024-03-20
摘要： 以碳化硅金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)為代表的第3代半導(dǎo)體功率器件因其優(yōu)異的開關(guān)特性,在新能源等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,但面對高速開關(guān)耦合寄生參數(shù)所產(chǎn)生的負(fù)面效應(yīng),使得測試系統(tǒng)難以快速、準(zhǔn)確評估其開關(guān)瞬態(tài)等相關(guān)參數(shù)。首先,根據(jù)改進(jìn)的雙脈沖模型設(shè)計(jì)了一種高精度測試系統(tǒng),硬件主要包括功率測試板、集成脈沖發(fā)生器的控制板及驅(qū)動(dòng)板,軟件主要利用Keil編寫控制板程序,La...

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