一種窄脈沖信號(hào)峰值電壓檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

摘要： SiC MOSFET器件柵極峰值電流可以表征器件結(jié)溫,但是柵極峰值電流信號(hào)上升下降速度快、維持時(shí)間短,給峰值電壓信號(hào)檢測(cè)電路設(shè)計(jì)帶來了挑戰(zhàn)。此處提出了一種基于兩級(jí)峰值采樣保持電路的窄脈沖峰值電壓檢測(cè)電路,其具有采集精度高、保持時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。首先介紹了峰值檢測(cè)原理以及兩級(jí)峰值檢測(cè)原理,然后給出了詳細(xì)的電路參數(shù)選型,最后,利用仿真和實(shí)驗(yàn)對(duì)此處所提峰值電流檢測(cè)電路進(jìn)行了驗(yàn)證。結(jié)果表明...