壓電AlN MEMS的新進(jìn)展

摘要： Si基微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)經(jīng)過(guò)三十余年的發(fā)展已進(jìn)入智能微系統(tǒng)的發(fā)展階段，已成為當(dāng)今MEMS技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的主流。當(dāng)今半導(dǎo)體材料技術(shù)的科研已進(jìn)入超寬禁帶半導(dǎo)體的探索開(kāi)發(fā)階段，超寬禁帶半導(dǎo)體AlN不但在功率電子學(xué)有較好的前景，而且AlN薄膜具有較好的壓電性能，與CMOS工藝相兼容，壓電AlN MEMS首先在手機(jī)應(yīng)用的射頻諧振器、濾波器方面取得突破，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，近年來(lái)壓電AlN M...