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微波GaN器件溫度效應(yīng)建模

物理學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 8 2024-08-06
摘要： 通過對GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)在不同溫度下直流特性變化的現(xiàn)象與機(jī)理分析,本文基于EEHEMT等效電路模型,針對GaN HEMT漏源電流I_(ds)提出了一種溫度效應(yīng)模型.該模型考慮到溫度對GaN HEMT閾值電壓、膝點(diǎn)電壓、飽和電流等方面的影響,對原始EEHEMT模型中的I_(ds)公式進(jìn)行修改,將I_(ds)公式中的關(guān)鍵參數(shù)與溫度建立起適當(dāng)?shù)暮瘮?shù)關(guān)系式.修改后的模...

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