功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管靜電放電柵源電容解析模型的建立

摘要： 在實(shí)際靜電放電測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)各種功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的靜電放電測(cè)試結(jié)果均呈現(xiàn)出正反向耐壓不對(duì)稱(chēng)現(xiàn)象,而人體與器件接觸時(shí)的靜電放電過(guò)程是不區(qū)分正反向的.正反向耐壓差異較大對(duì)于功率MOSFET或作為靜電放電保護(hù)器件來(lái)說(shuō)都是無(wú)法接受的,其造成器件失效的問(wèn)題格外凸顯.本文通過(guò)建立SGT-MOSFET, VUMOSFET和VDMOS在靜電放電正反向電壓下的柵源...