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MoSi2N4的本征點(diǎn)缺陷以及摻雜特性的第一性原理計(jì)算

物理學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 9 2024-03-14
摘要： 新興二維材料MoSi2N4因其卓越的半導(dǎo)體性能,包括出色的環(huán)境穩(wěn)定性和高載流子遷移率而受到相當(dāng)多的關(guān)注.然而,半導(dǎo)體中的本征缺陷往往不可避免并且會(huì)顯著影響器件性能.本文使用密度泛函理論計(jì)算并分析了MoSi2N4中本征點(diǎn)缺陷的性質(zhì)及其產(chǎn)生的影響.首先確認(rèn)了該材料物理性質(zhì)與目前實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的一致性,之后通過(guò)計(jì)算12種本征缺陷的形成能,發(fā)現(xiàn)鉬替硅型反位缺陷(Mosi)在所有本征缺...

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