基于邊緣優(yōu)化設(shè)計的低損耗Si₃N₄光功率分束器

摘要： 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，市場對于更小型化、更高效光器件的需求不斷增加．采用互補金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor, CMOS）工藝，成功制備了Si₃N₄光功率分束器并對其進行測試．結(jié)果表明，在1 550 nm波長下，邊緣優(yōu)化的1×8功率分束器的總損耗僅為1.30 dB，且其體積相較于傳統(tǒng)設(shè)計可減小30%．本研究應(yīng)用逆...