電子輻照對4H-SiC MOS材料缺陷的影響

摘要： 4H-SiC金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)基器件在電子輻照環(huán)境下應(yīng)用時可能產(chǎn)生新的材料缺陷，導(dǎo)致其電學(xué)性能發(fā)生退化。本文選取結(jié)構(gòu)最簡單的MOS基器件(4H-SiC MOS電容器)為對象，研究了一系列電子輻照劑量下材料缺陷的演變情況。在10 MeV電子束下對MOS樣品進(jìn)行30、50、100、500、1 000 kGy劑量的輻照，對輻照前、后樣品進(jìn)行深能級瞬態(tài)譜測試(DLTS)和電容-...