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與硅基技術(shù)兼容的二維過渡金屬硫族化合物電子器件

科學(xué)通報(bào) 頁(yè)數(shù): 17 2024-05-10
摘要: 作為現(xiàn)代信息社會(huì)的物理基石,以硅基材料為核心的集成電路極大推動(dòng)了人類現(xiàn)代文明的進(jìn)程.但是,隨著晶體管特征尺寸微縮逐漸接近物理極限,傳統(tǒng)硅基材料出現(xiàn)了電學(xué)性能衰退、異質(zhì)界面失穩(wěn)等挑戰(zhàn),導(dǎo)致集成電路數(shù)據(jù)處理能力提升難、功耗急劇增加等問題產(chǎn)生.超薄二維過渡金屬硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)具有表面平整無(wú)懸掛鍵、電輸運(yùn)性能優(yōu)...

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