KDP類晶體快速生長技術(shù)研究進(jìn)展（特邀）

摘要： 從技術(shù)路線、生長設(shè)備和工藝優(yōu)化3個方面簡述KDP類晶體快速生長領(lǐng)域的研究進(jìn)展。通過生長集成控制系統(tǒng)的研制、循環(huán)過濾系統(tǒng)的優(yōu)化升級，以及晶體生長實時監(jiān)控系統(tǒng)、大尺寸KDP類晶體線切割設(shè)備、高精密退火設(shè)備的研發(fā)，實現(xiàn)晶體生長、切割、退火的全鏈路突破；通過數(shù)值模擬仿真優(yōu)化晶體生長濃度場，實現(xiàn)晶體穩(wěn)定良好的生長，利用精密熱退火進(jìn)一步提高晶體的光透過性能和抗激光損傷性能。針對晶體柱錐交界...