極紫外光刻中的邊緣放置誤差控制

摘要： 極紫外（EUV）光刻是7 nm及以下技術節(jié)點芯片大規(guī)模量產(chǎn)的關鍵技術。隨著技術節(jié)點的減小、工藝復雜性的增加，芯片的良率面臨著巨大挑戰(zhàn)。邊緣放置誤差（EPE）是量化多重曝光技術過程中制造圖案保真度的最重要指標。EPE控制已成為多重曝光和EUV融合光刻時代最大的挑戰(zhàn)之一。EPE是關鍵尺寸（CD）誤差和套刻誤差的結合。在EUV光刻中，光學鄰近效應和隨機效應是引起光刻誤差的重要因素。光... （共21頁）