中能段電子束離子阱真空控制系統(tǒng)研制
真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 8 2023-11-23
摘要： 電子束離子阱（Electron Beam Ion Trap,EBIT）是一種用于研究高電離態(tài)離子物理過(guò)程的實(shí)驗(yàn)裝置。中能段緊湊型EBIT實(shí)驗(yàn)平臺(tái)能夠產(chǎn)生30 keV的電子束能量，電子束流達(dá)到20 mA，對(duì)于研究未來(lái)聚變堆雜質(zhì)離子輸運(yùn)行為研究具有重要意義。為了產(chǎn)生單一高電荷態(tài)離子，中能段EBIT裝置阱區(qū)需要工作在超高真空（10
-8 Pa）環(huán)境下。低溫超導(dǎo)磁體需工作在10~(... （共8頁(yè)）
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