基于流固耦合的碳化硅襯底CMP過(guò)程溫度場(chǎng)仿真分析

摘要： 在碳化硅襯底化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中，拋光界面溫度是影響拋光效率的關(guān)鍵因素之一，掌握拋光界面溫度分布情況，有助于更深入理解CMP機(jī)理并為工藝優(yōu)化提供理論指導(dǎo)。為此，對(duì)碳化硅襯底的CMP過(guò)程中溫度場(chǎng)分布情況進(jìn)行了探究，分析了不同拋光工藝參數(shù)和拋光液組分對(duì)拋光界面溫度的影響。利用有限元分析軟件ANSYS的流固耦合模塊，綜合考慮拋光墊與拋光液對(duì)SiC襯底的磨削作用，得到拋光過(guò)程中SiC襯底...