基于VMD-NARX的MOSFET剩余使用壽命預(yù)測(cè)方法

摘要： 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)剩余使用壽命預(yù)測(cè)能夠防止因器件長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通出現(xiàn)性能逐漸退化或失效，但傳統(tǒng)預(yù)測(cè)模型易忽略MOSFET退化參數(shù)的非線性細(xì)節(jié)特征而導(dǎo)致預(yù)測(cè)精度較差。本文提出一種基于變分模態(tài)分解與帶外源輸入的非線性自回歸神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的MOSFET剩余使用壽命預(yù)測(cè)方法。首先采用變分模態(tài)分解將退化參數(shù)序列分解為多組含有非線性變化信息的特征分量。然后分別利用貝葉斯正則和...