背腔刻蝕型橫向激勵薄膜體聲波諧振器制備技術研究

摘要： 隨著移動通信技術的快速發(fā)展，薄膜體聲波濾波器逐漸向高頻和大帶寬方向發(fā)展。該文研究了POI(LiNbO₃/SiO₂/Si)基片上背腔刻蝕型橫向激勵薄膜體聲波諧振器制作工藝，通過研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蝕等工藝，確定了IDT層曝光量和背腔刻蝕等關鍵工藝參數(shù)。研制出的背腔刻蝕型橫向激勵薄膜體聲波諧振器，其諧振頻率為4 565 MHz,反諧振頻率為5 035 MHz,機電耦...