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大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管研制

現(xiàn)代雷達(dá) 頁數(shù)： 5 2022-09-05
摘要： 介紹了大功率射頻硅-垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Si-VDMOS)的研制結(jié)果，采用柵分離降低反饋電容技術(shù)、多子胞降低源極電感技術(shù)等，從芯片原理著手，比較分析兩種芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對反饋電容的影響，以及兩種布局引線對源極電感的影響，并研制出了百瓦級(jí)以上大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管系列產(chǎn)品。產(chǎn)品主要性能如下：在工作電壓28 V及連續(xù)波下，采用8胞合成時(shí)，225 MHz輸出功...

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