一種基于55 nm CMOS工藝的V波段高功率寬帶功率放大器
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 6 2024-05-30
摘要： 基于標(biāo)準(zhǔn)55 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一款工作在V波段下的高輸出功率寬帶功率放大器，放大器采用交叉中和電容技術(shù)來提高功率放大器的增益和穩(wěn)定性，并通過兩路功率合成網(wǎng)絡(luò)提高輸出功率。通過多頻點(diǎn)疊加技術(shù)設(shè)計(jì)級(jí)間變壓器，拓展放大器帶寬。仿真結(jié)果表明，在1.2 V電源電壓下，放大器的3 dB帶寬為14.5 GHz,靜態(tài)直流功耗為184 mW,飽和輸出功率為13.2 dBm,小信號(hào)增益為1... （共6頁(yè)）
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