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一種具有低泄漏電流和高浪涌電流能力的1200 V/20 A SiC MPS

微電子學(xué) 頁數(shù)： 4 2024-02-20
摘要： 通過離子注入優(yōu)化，成功研制了一款六角形元胞設(shè)計(jì)的1 200 V/20 A的具有低泄漏電流和高浪涌電流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的測試結(jié)果表明，導(dǎo)通壓降V_F分別為1.48 V和2.03 V;歸功于優(yōu)化的離子注入和元胞設(shè)計(jì)，1 200 V耐壓時(shí)，肖特基界面的最強(qiáng)電場強(qiáng)度僅為1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏電流僅為4.3μA(@25℃)和13.7μA(@...

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