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具有低EMI和低開啟損耗的浮空P區(qū)IGBT研究

微電子學(xué) 頁數(shù)： 6 2024-02-20
摘要： 為了優(yōu)化浮空P區(qū)IGBT結(jié)構(gòu)的電磁干擾噪聲(EMI)與開啟損耗(E_(on))的折中關(guān)系，提出一種假柵溝槽連接多晶硅阻擋層的浮空P區(qū)IGBT結(jié)構(gòu)。新結(jié)構(gòu)在浮空P區(qū)內(nèi)引入對稱的兩個(gè)假柵溝槽，并通過多晶硅層連接。假柵溝槽將浮空P區(qū)分為三部分，減少了柵極溝槽附近的空穴積累，降低了柵極的固有位移電流。二維結(jié)構(gòu)仿真表明，在小電流開啟時(shí)，該結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，柵極溝槽空穴電流密度減小90%...

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