器件與電路參數(shù)對(duì)SET波形影響仿真研究

摘要： 利用Sentaurus TCAD仿真軟件，建立并校準(zhǔn)了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重離子轟擊下產(chǎn)生的SET波形。結(jié)果表明，轟擊位置在漏極且入射角呈120°時(shí)，器件具有最大的峰值電流。通過(guò)建立MIX、TCAD、SPICE三種反相器模型并施加重離子轟擊，研究了不同模擬方式下電路響應(yīng)對(duì)SET波形的影響，指出了采用雙指數(shù)電流源在SPICE電路中模擬的不準(zhǔn)確性。采用MIX模...