SiGe HBT瞬時劑量率效應實驗及仿真研究

摘要： 鍺硅異質結雙極晶體管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)由于其優(yōu)異的溫度和頻率特性，在航空航天等極端環(huán)境中具有良好的使用前景，其輻射效應得到了廣泛關注。針對KT9041 SiGe HBT進行了瞬時γ射線及脈沖激光輻照實驗，獲得其瞬時劑量率效應(Transient Dose Rate Effect, TDRE)響應。...