功率集成電路TID加固環(huán)柵器件研究現(xiàn)狀綜述

摘要： 總結(jié)了標(biāo)準(zhǔn)工藝下功率集成電路中總劑量輻射(TID)加固環(huán)柵MOS器件與環(huán)柵功率器件的研究現(xiàn)狀，歸納了不同結(jié)構(gòu)形態(tài)的環(huán)柵器件的性能優(yōu)劣，推薦8字形環(huán)柵MOS器件、華夫餅功率器件及回字形LDMOS器件結(jié)構(gòu)用于功率集成電路的TID加固設(shè)計(jì)。同時(shí)，闡述了現(xiàn)有環(huán)柵MOS器件等效W/L的建模情況，提出保角變換是環(huán)柵MOS器件等效W/L精確建模的重要方法，最后還給出了環(huán)柵器件建庫的基本流程。