SRAM單元的單粒子效應三維敏感區(qū)形狀參數模擬仿真方法

摘要： 為揭示靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）輻射效應以及內部電荷收集變化規(guī)律，從而為器件輻射效應及加固提供有效的仿真數據支撐，針對器件在軌單粒子翻轉（SEU），提出一種SRAM單元的三維敏感區(qū)形狀參數模擬仿真方法。首先通過器件級和電路級仿真相結合的手段，利用計算機輔助設計（TCAD）構建三維模型；然后通過仿真獲得重離子從不同方向入射后的單粒子瞬態(tài)電流，將此電流作為故障注入到65 nm SR...