基于電壓調(diào)控自旋軌道矩器件多數(shù)決定邏輯門的存內(nèi)華萊士樹乘法器設(shè)計

摘要： 在使用新型非易失性存儲陣列進(jìn)行存內(nèi)計算的研究中，存內(nèi)乘法器的延遲往往隨著位寬的增加呈指數(shù)增長，嚴(yán)重影響計算性能。該文設(shè)計一種電壓調(diào)控自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲器(VGSOT-MRAM)單元交叉陣列，并提出一種存內(nèi)華萊士樹乘法器的電路設(shè)計方法。所提串聯(lián)存儲單元結(jié)構(gòu)通過電阻求和的方式，有效解決磁存儲器單元阻值較低的問題；其次提出基于電壓調(diào)控自旋軌道矩磁存儲器單元交叉陣列的存內(nèi)計算架構(gòu)，利...