基于28 nm RRAM的可重構(gòu)真隨機數(shù)發(fā)生器
浙江大學(xué)學(xué)報(工學(xué)版)
頁數(shù)： 8 2024-06-12
摘要： 基于阻變存儲器（RRAM）電流饑餓型環(huán)形振蕩器的真隨機數(shù)發(fā)生器（TRNG）方案，提出交替讀寫的操作模式，優(yōu)化熵源重構(gòu)機制.針對現(xiàn)有RRAM在多操作周期下跨導(dǎo)線性化問題，提出熵可配置電阻窗口鉗位電路.通過減小電阻窗口獲得RRAM非線性的最大化，所提電路能夠有效避免RRAM出現(xiàn)過度置位、過度復(fù)位的現(xiàn)象，保證熵源穩(wěn)定性.基于UMC 28 nm HKMG工藝對TRNG進行流片.輸出數(shù)據(jù)... （共8頁）
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