鈦酸鋇基阻變存儲(chǔ)單元的構(gòu)建及其特性
大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 5 2023-06-07
摘要： 采用磁控濺射在低阻態(tài)Si(100)襯底上制備均勻的鈦酸鋇(BTO)薄膜，通過(guò)磁控濺射制備Ag電極，構(gòu)建Si(100)/BTO/Ag阻變存儲(chǔ)單元。利用XRD,SEM和AFM對(duì)不同退火溫度和保溫時(shí)間下的BTO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征，利用數(shù)字源表對(duì)Si(100)/BTO/Ag阻變存儲(chǔ)單元進(jìn)行阻變性能測(cè)試。結(jié)果表明，退火溫度750℃、保溫0.5 h條件下制備的BTO薄膜結(jié)晶度最高，薄膜...
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