重離子輻照引發(fā)的25nm NAND Flash存儲器數(shù)據(jù)位翻轉(zhuǎn)

摘要： 為研究不同注量下浮柵存儲單元位翻轉(zhuǎn)特點(diǎn)及其翻轉(zhuǎn)截面變化，以及重離子入射導(dǎo)致的多單元翻轉(zhuǎn)，以兩款25 nm NAND Flash存儲器為載體開展了重離子實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，單個(gè)重離子在擊中存儲單元靈敏體積的情況下足以引起位翻轉(zhuǎn)，位翻轉(zhuǎn)比率隨著注量累積基本呈線性變化。由于處于編程狀態(tài)閾值電壓分布低壓區(qū)的存儲單元傾向于在相鄰或靠近的地址上集中分布，隨著注量累積，這類存儲單元數(shù)量迅...