基于壓控自旋軌道矩磁性隨機存儲器的存內計算全加器設計

摘要： 隨著互補金屬氧化物半導體技術的特征尺寸的不斷縮小，其面臨的靜態(tài)功耗問題縮越來越突出。自旋磁隨機存儲器(MRAM)由于其非易失性、高速讀寫能力、高集成密度和CMOS兼容性等良好特性，受到了學術界的廣泛關注和研究。該文采用電壓調控的自旋軌道矩隨機存儲器設計了一個存內計算可重構邏輯陣列，能夠實現全部布爾邏輯功能和高度并行計算。在此基礎上設計了存內計算全加器并在40 nm工藝下進行了仿... （共6頁）