雙端口SRAM抗寫(xiě)干擾結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 7 2023-07-03
摘要： 針對(duì)雙端口靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)通常存在寫(xiě)干擾而導(dǎo)致數(shù)據(jù)寫(xiě)入困難的問(wèn)題，基于經(jīng)典位線電平復(fù)制技術(shù)提出了一種新型的位線電平復(fù)制結(jié)構(gòu)。基于SMIC 28 nm CMOS工藝對(duì)位線電平復(fù)制結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過(guò)優(yōu)化控制邏輯的組合電路，縮短位線電平復(fù)制操作的開(kāi)啟時(shí)間，提高了數(shù)據(jù)寫(xiě)入SRAM的速度，使設(shè)計(jì)的SRAM可在更高頻率下正常工作，同時(shí)降低了動(dòng)態(tài)功耗。仿真結(jié)果顯示，在0.9 V工作...
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