抗輻照MRAM研究進展

摘要： 新型非易失磁性隨機存儲器(magnetic random access memory, MRAM)具有讀寫速度快、數(shù)據(jù)保持時間長、功耗低等優(yōu)點，引起了研究人員的廣泛關注。其優(yōu)異的抗輻照能力被人們深入挖掘，有望進一步應用于航天等領域。本文回顧了MRAM的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展歷程、技術變革及應用情況，列舉了近年成熟的MRAM產(chǎn)品，對不同的代際MRAM的優(yōu)缺點進行了剖析；對MRAM核心存儲單元... （共22頁）