阱接觸對28 nm SRAM單粒子多位翻轉(zhuǎn)的影響

摘要： 為研究納米尺度下,特征尺寸減小和阱接觸布放方式對單粒子效應電荷收集機制的影響,在北京HI-13串列加速器上開展了國產(chǎn)28 nm靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)重離子單粒子效應輻照實驗研究,獲得了不同線性能量轉(zhuǎn)移(LET)值重離子垂直入射下的器件重離子單粒子位翻轉(zhuǎn)截面、多位翻轉(zhuǎn)百分比和多位翻轉(zhuǎn)拓撲圖形,并與65 nm SRAM實驗數(shù)據(jù)進行比對,分析了28 nm SRAM重離子單粒子多位... （共7頁）