5.3.2 電鏡方法測位錯密度的原理和方法
電子衍襯

        位錯密度ρ定義為晶體單位體積內(nèi)所含位錯線的總長度,即V為被測量區(qū)域晶體的體積,L為該體積內(nèi)位錯總長度。單位為cm-2。實際工作中測量L和V的準確值均有困難。但按體視學原理,經(jīng)過簡單推導,可以得到位錯密度與位錯交截單位面積    （本文共 346 字 ）    [閱讀本文] >>