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 1.Frank-Read位錯源發(fā)出的位錯環(huán)通常低倍下在晶體表面觀察到的滑移線是位錯運動滑出晶體留下的變形痕跡。一條滑移帶的滑移量約100~200nm,而一根位錯產(chǎn)生的滑移量僅為b,相當(dāng)于0.1nm。這就是說,一條滑移帶是成千根位錯滑出晶體的貢 (本文共 4119 字 , 7 張圖 ) [閱讀本文] >>