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 判定位錯像在其真實位錯的哪一側(cè)的方法,是分析位錯環(huán)性質(zhì)的常用方法。實際工作中,我們關(guān)心這些位錯環(huán)是由空位片上下原子面的崩塌而形成的“空位環(huán)”,還是由間隙原子片嵌入完整晶體而形成的“間隙環(huán)”?前者是合金從高溫淬 (本文共 1921 字 , 1 張圖 ) [閱讀本文] >>