在電鏡中觀察的晶體薄膜試樣,一般總是含有缺陷的,或多或少地存在著不完整性。由于晶體局部取向改變而引起的不完整性,除晶界、孿晶界、析出物與基體的相界面以外,還有由于晶體缺陷所引起的彈性位移,如點(diǎn)缺陷、面缺陷、線缺...[繼續(xù)閱讀]

    運(yùn)動(dòng)學(xué)理論可以定性地解釋薄晶體的一些衍襯效應(yīng)。但由于運(yùn)動(dòng)學(xué)理論假設(shè)的局限性,使得動(dòng)力學(xué)相干引起的許多襯度細(xì)節(jié)難以用運(yùn)動(dòng)學(xué)理論予以解釋。事實(shí)上我們?cè)谟懻摗跋饩嚯x”的概念時(shí),已清楚地看到這種動(dòng)力學(xué)交互作用是不...[繼續(xù)閱讀]

    1.完整晶體衍射動(dòng)力學(xué)的基本方程在衍射動(dòng)力學(xué)理論中保留了運(yùn)動(dòng)學(xué)理論中的“雙束近似”和“柱體近似”的假設(shè),考慮了吸收,并認(rèn)為存在一個(gè)極限,更重要的是考慮了各級(jí)衍射束之間的交互作用,即它們之間的能量交換,因此透射波振...[繼續(xù)閱讀]

    有了完整晶體動(dòng)力學(xué)方程,類似于運(yùn)動(dòng)學(xué)理論,只需在柱體中引入位移矢量R和附加相位角α=2πg(shù)·R,并在相位因子中考慮進(jìn)去,便可得到不完整晶體的動(dòng)力學(xué)方程,可以由(2-24)式得到不完整晶體雙束動(dòng)力學(xué)表達(dá)式如下:(2-39)解(2-24)式,我們得...[繼續(xù)閱讀]

    材料的性能特別是力學(xué)性能是結(jié)構(gòu)敏感的,材料中晶體缺陷的種類、形態(tài)、數(shù)量與分布和材料的各種性能密切相關(guān)。根據(jù)第二章介紹的運(yùn)動(dòng)學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論可建立對(duì)電子顯微圖像襯度進(jìn)行分析的方法,也可以建立測(cè)定某些參數(shù)的判據(jù)。...[繼續(xù)閱讀]

    操作反射是衍襯分析的基礎(chǔ)。為了便于運(yùn)用雙束動(dòng)力學(xué)理論,對(duì)圖像襯度進(jìn)行分析,如前所述,試驗(yàn)中應(yīng)盡可能獲得近似的雙束成像條件。若對(duì)圖像襯度起主要作用的衍射束強(qiáng)度較之其它衍射束的強(qiáng)度要強(qiáng)得多時(shí),仍可近似為雙束條件。...[繼續(xù)閱讀]

    選擇偏離參量s,包括s的符號(hào)(為正、為負(fù)或0)是衍襯分析中經(jīng)常遇到的一個(gè)重要問題。利用亮菊池線偏離同指數(shù)斑點(diǎn)的距離x可計(jì)算偏離參量s的大小。圖3-1(a)的狀態(tài)嚴(yán)格滿足布拉格衍射條件,偏離距離x=0。若在這個(gè)基礎(chǔ)上偏轉(zhuǎn)試樣,反射...[繼續(xù)閱讀]

    根據(jù)(2-4)式,消光距離ξg的表達(dá)式為(3-2)當(dāng)ω=sξg≠0時(shí),有效消光距離由下式表示例:已知加速電壓為100kV,求面心立方純銀操作反射(200)的消光距離。單胞體積Vc＝a3＝(0.4089nm)3＝0.06836nm3單胞散射因子Fg＝f∑exp[2πi(hui+kvi+lwi)]對(duì)FCC:ui、vi、w...[繼續(xù)閱讀]

    晶體學(xué)取向的測(cè)定一般包括三種情況:一是試樣在未進(jìn)行傾斜,即處于零傾斜位置時(shí),試樣表面垂直于電子束方向,只要精確測(cè)定試樣膜面法線的取向FN即可。應(yīng)該指出,從單晶斑點(diǎn)衍射譜測(cè)得的晶帶指數(shù)[uvw]只能有條件地視為試樣表面的...[繼續(xù)閱讀]

    膜厚是測(cè)量點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)密度時(shí),必不可少的數(shù)據(jù)。測(cè)量膜厚的方法很多[9],這里主要介紹幾種常用的方法:1.根據(jù)等厚消光條紋數(shù)進(jìn)行計(jì)算利用等厚消光條紋數(shù)目n和消光距離ξg,借助下述公式可以近似計(jì)算出條紋所在處的試樣厚度t:(...[繼續(xù)閱讀]